[其他]制備單晶硅片表面完整層的新途徑無效
| 申請號： | 85100856 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN85100856A | 公開（公告）日： | 1986-07-02 |
| 發明（設計）人： | 陳燕生;馬紀東;劉桂榮 | 申請（專利權）人： | 北京鋼鐵學院 |
| 主分類號： | C30B27/00 | 分類號： | C30B27/00;C30B33/00 |
| 代理公司： | 北京鋼鐵學院專利代理事務所 | 代理人： | 劉建民 |
| 地址： | 北京市海*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本發明屬于集成電路用半導體材料的制備技術。發明人利用中子輻照氫氣氛下區熔單晶硅。經切、磨、拋后，硅片實行兩次熱處理的方法，獲得單晶硅片由于體內氫沉淀造成的表面完整層，為集成電路用硅材料提供了新的可能途徑。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 制備 單晶硅 表面 完整 新途徑 | ||
【主權項】：
1、一種表面具有完整層，體內微缺陷高度彌散的單晶硅片，其特征在于微缺陷是氫沉淀。
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