[其他]具有控制電極的半導體器件無效
| 申請號: | 85101390 | 申請日: | 1985-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN85101390B | 公開(公告)日: | 1988-02-17 |
| 發明(設計)人: | 八尾勉;長野隆洋;及川三郎;佐藤行正;木村新;福井宏 | 申請(專利權)人: | 株式會社日立制作所 |
| 主分類號: | H01L29/74 | 分類號: | H01L29/74 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人: | 劉暉,趙越 |
| 地址: | 日本東京千代*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | 電流控制半導體器件中,半導體基片一個主表面的基區有許多發射極條狀區,第一電流電極與條狀區歐姆接觸,第二電流電極與基片另一主表面歐姆接觸,第一控制電極與條狀區一端基區歐姆接觸連到控制端,第二控制電極與條狀區另一端基區歐姆接觸,僅通過基區電阻電連接第一控制電極,基片上有加速偏壓裝置,切斷電流時,把低于條狀區電導區加速偏置到另一端。加速偏壓可為條狀區末端電流旁路區,補償第一和第二電流電極的結構等等。 | ||
| 搜索關鍵詞: | 具有 控制 電極 半導體器件 | ||
【主權項】:
1.具有一種結構的半導體器件,在半導體基片(1,101)的一對主表面之間至少包括三層半導體,上述幾層半導體中相鄰的半導體層的導電類型彼此不同,上述幾層半導體中的第一層至少由一個具有一定寬度的條狀區域(20,120)形成,上述幾層半導體中的第二層(30,130)與上述半導體基片的第一主表面相連通,同時與上述條狀區域相通,第一主電極(2,102)與上述第一主表面上的條狀區域保持歐姆接觸,第一和第二控制電極在上述條狀區域兩側上沿其長度方向側與上述第二層半導體(30,130)保持歐姆接觸,第二主電極(4,104)與上述半導體基片的第二主表面保持歐姆接觸;其特點在于:上述第一控制電極(3a,103a)制作在上述條狀區域(20,120)沿其長度方向的一側上,并直接與上述半導體器件的控制端(6,106)相連接,上述第二控制電極(3b,103b)制作在上述條狀區域沿其長度方向的另一側上,并僅通過上述第一控制電極和第一控制電極與第二控制電極之間的上述第二層半導體的電阻R與控制端相連接,且上述半導體基片(1,101)具有加速偏置的機構,當流過半導體基片的電流被關斷的時候,用來將導電區迅速地偏置到第二控制電極側。
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