[其他]對模糊現象不敏感的圖象傳感器及其制造方法無效
| 申請號： | 85101868 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN85101868B | 公開（公告）日： | 1988-08-10 |
| 發明（設計）人： | 鮑德金斯 | 申請（專利權）人： | 菲利普光燈制造廠 |
| 主分類號： | H01L29/76 | 分類號： | H01L29/76;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 許新根 |
| 地址： | 荷蘭艾*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | 圖象傳感器由一具有很多連接表面溝道的半導體襯底組成，溝道區由連接表面的溝道隔離區相互分開，而且進一步和相對表面平行延伸的半導體區相接。溝道區的摻雜濃度超過半導體區的摻雜濃度，而半導體區本身的摻雜濃度超過半導體襯底的摻雜濃度，半導體區的厚度在溝道區中心處有一個最小值。在這樣的圖象傳感器中，在垂直表面的方向上可以實現電勢變化，從而可強烈抑制“模糊”現象的產生。本發明也涉及這個圖象傳感器的制造方法。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 模糊 現象 敏感 圖象 傳感器 及其 制造 方法 | ||
【主權項】：
1.圖象傳感器是由第一導電型半導體襯底組成，襯底上有許多第一導電型連接表面的溝道區域，這些溝道區與襯底表面上的電極系統相垂直，工作時，在溝道區域中收集和傳輸電荷，這些溝道區由第二導電型連接表面的溝道隔離區相互分開，并且進一步和相對表面平行延伸的第二導電型半導體區相連接，其特征是：溝道區摻雜濃度超過半導體區的摻雜濃度，而半導體區本身的摻雜濃度又超過半導體襯底的摻雜濃度，半導體區的厚度沿溝道區垂直方向變化，在溝道中心達到最小值。
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