【主權項】：

1.一種制作半導體器件的方法，在該方法中，一些半導體材料基片被放在一反應管中加熱，該反應管被置于一爐管之中并具有一開有多孔的管壁，用以在基片上沉積一材料層的反應氣體通過所說的開孔進入反應管中，該反應氣體進入開孔的過程是通過在爐管中沿反應管的管壁的外側產生一個空氣流動來完成的，此后，反應后的剩余氣體通過反應管的一個開口端排放出去。其特征在于，反應氣流中只有一部分經反應管管壁上的開孔通入反應管達到基片上，反應氣流的余下部分，即沒有進入反應管的部分直接從爐管和反應管中間的空間排走。