[其他]高能級磁控濺射離子鍍技術無效
| 申請號： | 85102600 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN85102600B | 公開（公告）日： | 1988-02-03 |
| 發明（設計）人： | 陳寶清;朱英臣;王玉魁;王斐杰 | 申請（專利權）人： | 大連工學院 |
| 主分類號： | C23C14/34 | 分類號： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 大連工學院專利事務所 | 代理人： | 修德金 |
| 地址： | 遼寧省大*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | 高能級磁控濺射離子鍍技術是在具有一個工件負高壓電源的磁控濺射離子鍍裝置中實現的。該離子鍍工藝使鍍膜有一個靶材(膜材)元素和基材元素共存的過渡層；鍍膜中能出現靶材元素和基材元素組成的化合物相和固溶體相；多輝光高能級磁控濺射離子鍍技術，進一步擴展了鍍膜過渡層，并能沉積多層次鍍膜、多元素鍍膜以及反應鍍膜。上述技術可以滿足對表面的不同性能的要求。該項技術還具有節約能源，無公害等優點。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 能級 磁控濺射 離子鍍 技術 | ||
【主權項】：
1、一種用于在金屬基工件上鍍覆金屬的高能級磁控濺射離子鍍工藝，包括：(1)將工件(8)置于真空室(1)中(2)將真空室的真空度調至1.33×10-2帕斯卡(3)向真空室充氬氣，使真空度達到2.67×10-1帕斯卡(4)接通濺射電源(5)，使濺射靶的工作電壓為600伏，工作電流為15安培其特征在于在濺射過程中利用一個適合于磁控濺射條件下工作的負高壓電源(9)對工件(8)加偏壓，實現離子鍍工藝。
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