[其他]利用封閉邊界產生靜電四極場的結構無效
| 申請號： | 85102774 | 申請日： | 1985-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN85102774B | 公開（公告）日： | 1987-11-04 |
| 發明（設計）人： | 華中一;王陽;范承善;谷超豪 | 申請（專利權）人： | 復旦大學 |
| 主分類號： | H01J49/42 | 分類號： | H01J49/42;G01N27/62 |
| 代理公司： | 上海專利事務所 | 代理人： | 須一平 |
| 地址： | 上海市邯鄲*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | 目前大多數商品化的靜電四極場系統均采用圓截面的金屬電極結構。這種結構加工較為復雜，且只能在靠近對稱中心的很小區域里產生完整四極場；此外，電極之間存在空隙，在用玻璃或陶瓷作為管殼時會受到管殼內壁雜散電荷形成電位的影響。本發明根據理論計算求得產生完整靜電四極場的方法和用均勻厚度或厚度呈連續變化的高阻材料構成封閉邊界的結構，其電位隨位置作連續變化，以產生各種形式的完整靜電四極場。這種結構比較簡單，可以廣泛應用于電子光學系統及各種儀器設備中。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 利用 封閉 邊界 產生 靜電 四極場 結構 | ||
【主權項】：
1.一種產生靜電四極場的結構，其中有四個金屬電極，其特征是該結構的邊界為封閉的，邊界由均勻厚度或厚度呈連續變化的高阻材料及電極構成，邊界上的電位隨位置作連續變化。
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