[其他]在材料(例如半導(dǎo)體材料)中加工亞微型槽的方法以及用這種方法制成的器件無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 85103535 | 申請(qǐng)日: | 1985-05-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN85103535B | 公開(kāi)(公告)日: | 1988-08-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 阿佩爾斯;馬斯 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 菲利浦光燈制造公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/302 | 分類號(hào): | H01L21/302;H01L21/31;H01G4/06 |
| 代理公司: | 中國(guó)專利代理有限公司 | 代理人: | 李先春 |
| 地址: | 荷蘭艾*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | 在階梯形材料層上覆蓋第一材料層,該層也有階梯不平的凹槽,并在它上面生成第二掩模層和轉(zhuǎn)化層,對(duì)轉(zhuǎn)化層進(jìn)行轉(zhuǎn)化而成為可選擇的腐蝕層,在除下未轉(zhuǎn)化的部分之后,在第二掩模層中沿凹槽邊沿形成帶開(kāi)口的中間掩模層。用中間掩模對(duì)第一材料層進(jìn)行各向異性腐蝕處理生成溝槽。根據(jù)情況在下一層襯底區(qū)中也生成溝槽。為了形成絕緣區(qū)用氧化硅填在這些槽里。如果在硅的襯底區(qū)的上面用的是多晶硅第一材料層,則該層可分別作為摻雜質(zhì)的源以及供連接用,于是可以制造各種類型的晶體管。 | ||
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





