[其他]具有倒臺面支承結構的銦鎵砷磷/銦磷隱埋條形質量輸運激光器無效
| 申請號： | 85104180 | 申請日： | 1985-05-29 |
| 公開（公告）號： | CN85104180A | 公開（公告）日： | 1986-11-26 |
| 發明（設計）人： | 陳倜榮 | 申請（專利權）人： | 成都電訊工程學院 |
| 主分類號： | H01S3/18 | 分類號： | H01S3/18 |
| 代理公司： | 成都電訊工程學院專利代理室 | 代理人： | 馬新民 |
| 地址： | 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | 具有倒臺面支承結構的銦鎵砷磷/銦磷隱埋條形質量輸運激光器。是在外延片上淀積掩模層，利用光刻沿011方向形成條形，通過選擇性腐蝕形成上寬下窄的倒臺面新結構，本結構有三層外延層和四層外延層兩種，這兩種都可以有不同的形式。具有本結構的激光器在保持有源區很窄的前提下可以在較寬的臺面頂部制作電極，并且可以作成良好的歐姆接觸，降低接觸電阻，減少解理后續工藝中對有源區條形的破壞，提高器件的性能、成品率及穩定性。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 具有 臺面 支承 結構 銦鎵砷磷 銦磷隱埋 條形 質量 輸運 激光器 | ||
【主權項】：
1、一種銦鎵砷磷/銦磷隱埋條形質量輸運激光器，它在InP導電襯底上依次生長有InP限制層、非故意摻雜InGaAsP有源層InP限制層，并通過InP質量輸運形成完全隱埋結構，其特征是，在三層外延層上還生長有一接觸頂層，在接觸頂層上淀積Si3N4或其它適當掩模層，通過光刻及選擇性腐蝕沿011方向形成上寬下窄的倒臺面支承結構。
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