[其他]光生伏打器件及其制造方法無效
| 申請號: | 85106598 | 申請日: | 1985-08-26 |
| 公開(公告)號: | CN85106598A | 公開(公告)日: | 1987-03-18 |
| 發明(設計)人: | 岸靖雄;谷口裕幸 | 申請(專利權)人: | 三洋電機株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/04 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人: | 陳海紅,許新根 |
| 地址: | 日本大阪府守*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | 本發明包括一種光生伏打器件及其制造方法,其中第一電極薄膜(12a、12b和12c)分別布置在基片(10)上,半導體光敏薄膜層(13)和第二電極薄膜(14)位于各第一電極薄膜上。通過腐蝕清除(13)的一部分,使相鄰區域中的(12a)有部分顯露,同時使第二電極薄膜(14a)與半導體光敏層(13a)的凹陷處接觸部分(145a)顯露,通過腐蝕將其清除,再用連接電極薄膜(6a)使(12a)的顯露部分與(14a)進行電連接。 | ||
| 搜索關鍵詞: | 光生伏打 器件 及其 制造 方法 | ||
【主權項】:
1、一種光生伏打器件的制造方法,包括:第一步,把第一電極薄膜分別布置在基片表面的各個區域里;第二步,加上一層薄膜型半導體光敏層,它用來形成載體,從而產生電能,還加上第二電極薄膜。使上述半導體光敏層和上述第二電極薄膜延伸復蓋在各相鄰第一電極薄膜上;第三步,在第二電極薄膜上布置帶孔的掩膜,通過掩膜孔對顯露部分進行腐蝕,從而清除掉上述第二電極薄膜的顯露部分,因此,上述第二電極薄膜被分割成許多區域,而上述半導體光敏層被部分顯露出來;第四步,通過上述掩膜孔進行腐蝕,將位于上述第二電極薄膜各個間隔區域中半導體光敏層的顯露部分清除掉,從而,使相鄰區域中第一電極薄膜部分顯露出來;第五步,將上述各個第一電極薄膜的顯露部分與和其相鄰的區域中第二電極薄膜進行電連接;其進一步特征在于上述的第四步還包括這樣一個步驟:通過使用在上述半導體光敏層腐蝕過程中使用過的掩膜,腐蝕清除掉面向半導體光敏層的第二電極薄膜的接觸面的顯露部分,該顯露部分是由上述對半導體光敏層的腐蝕,從下部蝕空而顯露出來的。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
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H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





