[其他]具有高擊穿電壓的半導(dǎo)體器件無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 85106895 | 申請日: | 1985-09-14 |
| 公開(公告)號(hào): | CN85106895B | 公開(公告)日: | 1988-09-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 江本孝朗;鹽見武夫 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社東芝 |
| 主分類號(hào): | H01L29/06 | 分類號(hào): | H01L29/06;H01L29/72;H01L29/91 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利代理部 | 代理人: | 劉暉 |
| 地址: | 日本神奈*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | 本發(fā)明涉及到高擊穿電壓半導(dǎo)體器件,而且是與半導(dǎo)體襯底有相同電導(dǎo)型的高摻雜雜質(zhì)區(qū)形成在一起的半導(dǎo)體器件,其中,在半導(dǎo)體襯底的背面,第一雜質(zhì)區(qū)的對面,規(guī)定好的部位上注入高摻雜雜質(zhì),并形成高摻雜雜質(zhì)區(qū),在與第一雜質(zhì)區(qū)相同的中心部位上其注入寬度為T,并且滿足t1≤T≤t1+2Wo,其中t1是第一雜質(zhì)區(qū)的寬度,Wo是第一雜質(zhì)區(qū)和高摻雜雜質(zhì)區(qū)之間沿深度方向的間隔。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 擊穿 電壓 半導(dǎo)體器件 | ||
【主權(quán)項(xiàng)】:
1.一種具有高擊穿電壓的半導(dǎo)體器件制有:第一電導(dǎo)類型的半導(dǎo)體襯底10;在第一電導(dǎo)類型的半導(dǎo)體襯底10的規(guī)定區(qū)域中形成的一層第二電導(dǎo)類型的第一雜質(zhì)區(qū)12,并與上述襯底之間形成個(gè)側(cè)面;在與上述第一雜質(zhì)區(qū)12相對的上述半導(dǎo)體襯底的背面區(qū)域中,以規(guī)定量進(jìn)行注入,形成的第一電導(dǎo)類型的一層第一高摻雜雜質(zhì)區(qū)16;用第二電導(dǎo)類型的保護(hù)環(huán)區(qū)或用阻性電場板極(127)環(huán)繞上述第一雜質(zhì)區(qū)12;其特征在于:形成的注入?yún)^(qū)16比上述第一雜質(zhì)區(qū)12寬,與上述第一雜質(zhì)區(qū)的周圍側(cè)面相比,上述注入?yún)^(qū)16擴(kuò)大不大于Wo;Wo是上述第一雜質(zhì)區(qū)12和上述第一高摻雜雜質(zhì)區(qū)16之間沿其深度方向的間隔。
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分,VIP會(huì)員可以免費(fèi)下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于株式會(huì)社東芝,未經(jīng)株式會(huì)社東芝許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://m.szxzyx.cn/patent/85106895/,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:內(nèi)窺鏡的照明裝置
- 下一篇:小型同步電動(dòng)機(jī)
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的





