[其他]半導體器件及其制造法無效

申請號：	85107077	申請日：	1985-09-24
公開（公告）號：	CN85107077B	公開（公告）日：	1988-01-27
發明（設計）人：	馬場博之;松崎隆	申請（專利權）人：	株式會社東芝
主分類號：	H01L21/60	分類號：	H01L21/60;H01L25/02
代理公司：	中國國際貿易促進委員會專利代理部	代理人：	杜日新
地址：	日本神奈川縣***	國省代碼：	暫無信息
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摘要：	本發明半導體器件之所以在高溫環境中或高溫高濕環境中顯示出極好的電氣性能，是因為以反應層厚度大于等于0.2(微米)的方式，將鋁焊線的端部連接于銅或銅合金引線電極。本發明提供的半導體器件制造方法，由于采用了將鋁焊線連接于銅或銅合金引線框架的鍵合區，進行熱處理，而使得銅或銅合金與鋁的反應層厚度大于等于0.2(微米)的步驟，因而能夠容易地制作，可在高溫環境中或高溫高濕環境中顯示極好電氣性能的高可靠半導體器件。
搜索關鍵詞：	半導體器件及其制造
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【主權項】：

1.半導體器件30，包括有：安裝在引線框架20的焊接區上的半導體芯片22，該引線框架材料選自一組包括銅和銅合金的材料，在所述引線框架20上形成的引線電極25：一端連接于所述半導體芯片焊接區24，另一端連接于所述引線電極25的焊線23：以及密封所述半導體芯片22、所述焊接區24和所述焊線23的樹脂密封材料26，其密封方式使所述引線框架20的一部分及所述引線電極25的一部分通向外部，其特征在于，所述焊線23由鋁構成，在焊線23與所述引線電極25所連接的部分上，反應層60厚度大于等于0.2(微米)。

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