[其他]二維電子氣發射極半導體器件無效

申請號：	85107336	申請日：	1985-10-03
公開（公告）號：	CN85107336A	公開（公告）日：	1987-05-20
發明（設計）人：	朱恩均	申請（專利權）人：	南京電子器件研究所
主分類號：	H01L29/70	分類號：	H01L29/70;H01L29/00
代理公司：	電子工業部專利服務中心	代理人：	許兆鵬
地址：	江蘇省南***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：	N型半導體基片用離子注入工藝制成P型基區之后，用任何一種工藝方法例如CVD法淀積滿足下列要求的發射極材料1)寬禁帶、低空穴遷移率；2)電子親和勢低；3)與襯底材料間的界面態密度低、同時能重摻雜。則可制成二維電子氣發射極半導體器件，即在發射極結界面的襯底材料一側形成相當于重摻雜發射極的二維電子氣層的半導體器件。
搜索關鍵詞：	二維電子發射極半導體器件
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【主權項】：

1、二維電子氣發射極半導體器件。N型半導體基片用離子注入工藝(或任何一種工藝)制成P型基區之后，用任何一種工藝例如CVD工藝淀積滿足下列要求的發射極材料：(1)寬禁帶、低空穴遷移率；(2)電子親和勢低，(3)與襯底材料間的界面態密度低、同時能重摻雜。則可制成二維電子氣發射極半導體器件，即在發射極結的襯底材料一側形成相當于重摻雜發射極的二維電子氣層的半導體器件。

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