[其他]MOS場效應(yīng)晶體管的柵壓溫度篩選方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 85107886 | 申請日： | 1985-10-18 |
| 公開（公告）號： | CN85107886B | 公開（公告）日： | 1988-02-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 苗慶海;劉可辛 | 申請（專利權(quán)）人： | 山東大學 |
| 主分類號： | H01L21/145 | 分類號： | H01L21/145;G01R31/26 |
| 代理公司： | 山東大學專利事務(wù)所 | 代理人： | 王緒銀,楊富賢 |
| 地址： | 山東省*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | MOS場效應(yīng)晶體管的一種篩選方法。本方法是將MOS場效應(yīng)晶體管的源極和漏極短路、柵極和源極之間施加直流偏壓，置于高溫環(huán)境中進行老化。比較老化前后的閾電壓值可判知MOS場效應(yīng)晶體管的穩(wěn)定性和可靠性。易于剔除性能不穩(wěn)定、可靠性差的管子，而對優(yōu)質(zhì)正品管無損傷。具有參數(shù)反映靈敏、試驗效率高、周期短、非破壞性、儀器設(shè)備簡單、操作容易和節(jié)省篩選費用的優(yōu)點。在當前對MOS場效應(yīng)晶體管的考核尚無國家標準的情況下亦可作為例行試驗方法。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | mos 場效應(yīng) 晶體管 溫度 篩選 方法 | ||
【主權(quán)項】：
1、一種MOS場效應(yīng)晶體管的篩選方法，包括：(1)首先測量待試驗晶體管的閾電壓VT。(2)將晶體管的源極和漏極短路，柵極和源極之間施加直流偏壓，置于恒溫中老化。(3)保持柵源偏壓不變，取出晶體管置于室溫中冷卻至室溫，再去除偏壓。(4)再測量晶體管的閾電壓值VT′。(5)比較閾電壓值ΔVT＝|VT′-VT|，ΔVT大的晶體管即為穩(wěn)定性和可靠性差的晶體管。其特征在于在所述恒溫老化同時，在MOS場效應(yīng)晶體管的柵極與源漏極之間加直流偏壓，而源極與漏極是(相互)短路的。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
