[其他]高溫正溫度系數熱敏電阻半導體陶瓷材料的制造方法無效
| 申請號: | 85108454 | 申請日: | 1985-11-23 |
| 公開(公告)號: | CN85108454B | 公開(公告)日: | 1987-08-26 |
| 發明(設計)人: | 劉梅冬;賈連娣;賴希偉;張緒禮;陳志雄;周方橋;莫以豪 | 申請(專利權)人: | 華中工學院 |
| 主分類號: | H01C7/02 | 分類號: | H01C7/02;C04B35/46 |
| 代理公司: | 華中工學院專利事務所 | 代理人: | 陳志凌,鄭友德 |
| 地址: | 湖北省*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | 一種居里溫度大于310℃的正溫度系數熱敏電阻半導體致密陶瓷材料,采用快速燒結技術,可有效地防止Pb揮發,控制晶粒長大,材料的室溫電阻率可小于103歐姆·厘米,電阻率比值可達到4個數量級。 | ||
| 搜索關鍵詞: | 高溫 溫度 系數 熱敏電阻 半導體 陶瓷材料 制造 方法 | ||
【主權項】:
1.一種以(Ba1-xPbx)TiO3(x=40~70mol%)為基礎,加入(0.05~0.40)mol%Nb2O5,(0.5~5)mol%SiO2,(0.1~1)mol%Al2O3,(0.001~0.1)mol%Mn(NO3)2和(1~5)mol%TiO2的高溫正溫度系數熱敏電阻半導體陶瓷材料燒結工藝:在大氣氣氛中燒結,燒結溫度為1270~1350℃,其特征是,燒結時間為2~20分鐘,升溫速率為100~600℃/分,降溫速率為10~100℃/分。
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