[其他]半導體集成電路器件無效
| 申請號: | 85108621 | 申請日: | 1985-11-23 |
| 公開(公告)號: | CN85108621A | 公開(公告)日: | 1986-07-23 |
| 發明(設計)人: | 鈴木康永;松原俊明;間明田治佳;浦上憲 | 申請(專利權)人: | 株式會社日立制作所 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L27/06 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人: | 劉暉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | 本發明公布了一種半導體集成電路器件。該電路器件用改進的(m+n)個輸入單元,每個單元都裝配有高負載驅動功能元件,將元件布置在單元的周圍,并且在該單元內有n個信號輸入端,另外還有m個常規信號輸入端,一并置入該單元內。 | ||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 集成電路 器件 | ||
【主權項】:
1、一種半導體集成電路器件,包括:(1)基本單元,每一個基本單元包括一個具有高負載驅動容量的第一種元件,和一個其驅動容量低于上述第一種元件的第二種元件;(2)基本單元陣列,每一個都是在予定方向上布置許多上述基本單元形成的;以及(3)一個基本單元矩陣,是在一個方向基本垂直于上述予定方向上布置許多上述基本單元陣列形成的,并在它們之間有予定空隙;其中上述第一種元件是沿一個方向基本垂直于上述予定方向的上述基本單元中的外圍部位上布置的,而上述第二種元件布置在上述基本單元的中央部位上。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





