[其他]雙極異質(zhì)結(jié)晶體管及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 85108634 | 申請日： | 1985-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN1003831B | 公開（公告）日： | 1989-04-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 格翰納姆·莫斯塔法·耶黑亞;默坦斯·羅伯特;尼斯·約翰 | 申請（專利權(quán)）人： | 英特大學(xué)微電子中心 |
| 主分類號： | 分類號： | ||
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利代理部 | 代理人： | 劉暉 |
| 地址： | 比利時(shí).*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 按照本發(fā)明研制的雙極異質(zhì)結(jié)晶體管其發(fā)射極形成層基本上由摻雜的和氫化的半導(dǎo)體材料組成，并且至少局部形成非晶的結(jié)構(gòu)。由于發(fā)射極材料的能帶較寬，可獲得大的電流增益β。發(fā)射極形成層最好由摻雜的和氫化的微晶硅組成，能提供小的基極電阻適宜在高頻下使用。用ＣＶＤ技術(shù)，用等離子體或者用光分解法可以形成非晶雙極異質(zhì)結(jié)晶體管，用上述任一方法或用加熱非晶發(fā)射極層的方法，可制作具有微晶發(fā)射極層的晶體管。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 雙極異質(zhì) 結(jié)晶體 及其 制造 方法 | ||
【主權(quán)項(xiàng)】：
1、一種雙極異質(zhì)結(jié)晶體管(1)包括：發(fā)射極形成層(2)，基極形成層(3)和收集極形成層(4)，其特征在于：發(fā)射極形成層(2)基本上由摻雜的和氫化的半導(dǎo)材料組成，并且至少局部形成非晶結(jié)構(gòu)。
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