[其他]改進(jìn)的硼摻雜半導(dǎo)體材料及其制備方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 85108824 | 申請(qǐng)日： | 1985-11-04 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN85108824A | 公開(kāi)（公告）日： | 1986-08-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 楊志忠;拉爾夫·莫爾;斯蒂芬·赫金斯;安妮特·約翰科克;普雷·內(nèi)斯 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 索馮尼克斯太陽(yáng)能系統(tǒng)公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/24 | 分類號(hào)： | H01L21/24;H01L31/06 |
| 代理公司： | 中國(guó)專利代理有限公司 | 代理人： | 陶令靄 |
| 地址： | 美國(guó)俄亥俄*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本發(fā)明介紹一種改進(jìn)的P型半導(dǎo)體合金薄膜和采用這種薄膜的光生伏打和光敏器件及其射頻和輝光放電制備法。用含硅烷和硼的化合物的輝光放電淀積硅半導(dǎo)體合金薄膜。硼以單原子形式摻入硅基質(zhì)。這種P型薄膜的特點(diǎn)是穩(wěn)定、帶隙未變窄、體應(yīng)力降低、形貌和生長(zhǎng)狀況及附著性得到改進(jìn)并且減少了剝皮和龜裂。本征層的特點(diǎn)是降低了Staebler—Wronski衰退。在輝光放電中未形成高序硼氫化物和其它硼的聚合物或低聚物。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 改進(jìn) 摻雜 半導(dǎo)體材料 及其 制備 方法 | ||
【主權(quán)項(xiàng)】：
1、淀積一種改進(jìn)的包括硼和鹵素或假鹵素的P型半導(dǎo)體合金的方法，該方法包括在氣體混合物中建立輝光放電，氣體混合物包括至少一種半導(dǎo)體前身氣體，硼的氣體源與鹵素和假鹵素結(jié)合在一起，其特點(diǎn)是在上述淀積的半導(dǎo)體合金中以單原子形式至少摻入1.9原子百分?jǐn)?shù)的硼。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
