[其他]薄膜晶體管的制作方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 85109088 | 申請(qǐng)日： | 1985-11-15 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN85109088A | 公開(kāi)（公告）日： | 1986-08-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 林久雄;野口隆 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 索尼公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L21/18 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L21/18;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中國(guó)專(zhuān)利代理有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 日本東京都品*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | 薄膜晶體管制作方法在防定的基板上形成一層多晶半導(dǎo)體薄膜；將預(yù)定的離子注入多晶半導(dǎo)體薄膜中，以形成一層非晶半導(dǎo)體薄膜；在非晶半導(dǎo)體薄膜上，形成一層?xùn)沤^緣薄膜和一柵電極；利用柵電極和柵絕緣膜作掩膜進(jìn)行摻雜，以便在非晶半導(dǎo)體薄膜中形成源區(qū)和漏區(qū)；進(jìn)行退火以實(shí)現(xiàn)非晶半導(dǎo)體薄膜的固相生長(zhǎng)，同時(shí)使雜質(zhì)電激活，以形成源區(qū)和漏區(qū)。上述方法能促使非晶半導(dǎo)體薄膜的固相生長(zhǎng)的退火工藝，不必與促使雜質(zhì)電激活以形成源區(qū)和漏區(qū)的退火工藝分開(kāi)。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 薄膜晶體管 制作方法 | ||
【主權(quán)項(xiàng)】：
1、一種制作薄膜晶體管的方法，其特征在于：在一預(yù)定的基板上，形成一層多晶半導(dǎo)體薄膜；將預(yù)定的離子注入所說(shuō)的多晶半導(dǎo)體薄膜中，以形成一層非晶半導(dǎo)體薄膜；在所說(shuō)的非晶半導(dǎo)體薄膜上，形成一層?xùn)沤^緣膜和一柵電極；利用所說(shuō)的柵電極和柵絕緣膜作掩膜，進(jìn)行摻雜，以便在所說(shuō)的非晶半導(dǎo)體薄膜中形成源區(qū)和漏區(qū)；進(jìn)行退火以實(shí)現(xiàn)所說(shuō)非晶半導(dǎo)體薄膜的固向生長(zhǎng)，同時(shí)使雜質(zhì)電激活，以形成所說(shuō)的源區(qū)和漏區(qū)。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
