[其他]制造半導體集成電路器件的方法無效

申請號：	85109742	申請日：	1985-11-22
公開（公告）號：	CN85109742B	公開（公告）日：	1988-06-29
發明（設計）人：	池田修二;長澤幸一;元吉真;永井清;目黑憐	申請（專利權）人：	株式會社日立制作所
主分類號：	H01L21/72	分類號：	H01L21/72;H01L27/04
代理公司：	中國國際貿易促進委員會專利代理部	代理人：	郁玉成
地址：	日本***	國省代碼：	暫無信息
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摘要：	在一個共用的工序中形成了P和N溝道MOS場效應晶體管的P和N型源或漏區的一些接觸孔以后，通過這些接觸孔至少在N型源或漏區以離子注入法注入一種N型雜質。把此N型雜質退火以形成一個比N型源或漏區為深的N型區。在退火處理期間，以一層絕緣薄膜覆蓋住此N型源或漏區。
搜索關鍵詞：	制造半導體集成電路器件方法
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【主權項】：

1.一種制造半導體集成電路器件的方法，它包括：(a)在半導體基片的主表面上形成每一個N溝道MOS場效應晶體管以及P溝道MOS場效應晶體管的工序，所說N溝道MOS場效應晶體管有N型半導體區域，而所說P溝道MOS場效應晶體管有P型半導體區域；(b)形成一層用來覆蓋所說那些MOS場效應晶體管的第一絕緣薄膜的工序；(c)形成在所說第一絕緣薄膜內的一些接觸孔的工序，所說N和P型半導體的各自區域上至少形成有所說的這些接觸孔當中的一個孔；(d)形成一層用來覆蓋所說的基片的所說主表面之一部分的第二絕緣薄膜的工序，所說的主表面的一部分通過所說那些接觸孔暴露在外面；(e)通過所說的接觸孔，至少在所說N型半導體區域注入一種N型雜質的離子注入工序，所說的雜質是通過所說第二絕緣薄膜導入所說基片的，其中，注入上述N型雜質而形成的半導體區域比所說的N型半導體區域要深；(f)除去所說第二絕緣薄膜的步驟；以及(g)在所說接觸孔中形成導電薄膜的步驟。

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