[其他]帶有保護(hù)膜的硅拋光片與外延片無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 85203385 | 申請(qǐng)日： | 1985-08-16 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN85203385U | 公開（公告）日： | 1986-07-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉玉嶺 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 河北工學(xué)院 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/02 | 分類號(hào)： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 天津市專利事務(wù)所 | 代理人： | 李國(guó)茹 |
| 地址： | 天津市紅橋區(qū)*** | 國(guó)省代碼： | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 該實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體材料，即帶有保護(hù)膜的硅拋光片與外延片。保護(hù)膜的厚度500以上；保護(hù)膜可是有機(jī)物，也可是無機(jī)物，如SiO2、Al2O3、或光刻膠、硅油等等。合格的硅拋光片與外延片加上保護(hù)膜以后，可以用袋裝或盒裝長(zhǎng)期存放和遠(yuǎn)途運(yùn)輸，使硅拋光片與外延片不沾污、不劃傷，以保持其高完美度與高潔凈度。以利提高半導(dǎo)體材料的質(zhì)量，從而提高半導(dǎo)體器件的質(zhì)量。此保護(hù)膜生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)單、成本低。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 帶有 保護(hù)膜 拋光 外延 | ||
【主權(quán)項(xiàng)】：
1、一種用于制造半導(dǎo)體器件的硅拋光片與外延片，其長(zhǎng)期保存和運(yùn)輸是用軟塑或紙袋分片包裝，或外部用硬塑盒、內(nèi)底聚丙烯刻槽、間隙立插式，高純密封包裝；本實(shí)用新型的特征是：在合格的硅拋光片與外延片的表面有一層用熱氧化方法或氣相淀積法等器件制備中的鈍化方法生長(zhǎng)的保護(hù)膜，目的是取代硅拋光片與外延片長(zhǎng)期保存和運(yùn)輸用袋裝或盒裝的方法。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
