[其他]濕法腐蝕裝置無效
| 申請號: | 85203849 | 申請日: | 1985-09-17 |
| 公開(公告)號: | CN85203849U | 公開(公告)日: | 1986-05-21 |
| 發明(設計)人: | 劉振芳;蔡福興 | 申請(專利權)人: | 航天工業部七七一研究所 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/306;H01L21/456 |
| 代理公司: | 航天工業部專利事務所 | 代理人: | 管潔,容敦璋 |
| 地址: | 陜西省臨潼*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | 一種濕法化學腐蝕裝置,用以腐蝕介質薄膜,特別適用于半導體器件生產工藝中Si3N4介質膜的濕法腐蝕,可耐200℃高溫。在腐蝕容器[2]上的蓋子[1]內側布滿回形冷卻管[3],當腐蝕液加熱時,管子接通冷卻水,這樣因受熱產生的腐蝕液蒸汽在管子上遇冷而凝聚下來,滴回腐蝕液中,從而能很好地保持腐蝕液的組分,不改變腐蝕速率,保證腐蝕質量。 | ||
| 搜索關鍵詞: | 濕法 腐蝕 裝置 | ||
【主權項】:
1.一種由腐蝕容器〔2〕、容器蓋〔1〕構成的濕法腐蝕裝置。本實用新型的特征在于容器蓋子內側有冷卻管〔3〕,粘結或燒結在容器蓋子上,冷卻管的兩頭通過蓋子的兩個相對或相鄰的側壁和外面的冷卻水相通。容器內裝有可供測溫的裝置〔4〕,冷卻管進、出口和蓋子的交接處應沒有縫隙,蓋子和容器的接合面〔a〕應嚴密吻合。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





