[其他]硅基底上附有熱熔粘合劑的集成電路硅小片復合物的制做方法無效
| 申請號： | 86100204 | 申請日： | 1986-01-17 |
| 公開（公告）號： | CN86100204A | 公開（公告）日： | 1986-08-13 |
| 發明（設計）人： | 加里·查爾斯·戴維斯 | 申請（專利權）人： | 通用電氣公司 |
| 主分類號： | H01L21/72 | 分類號： | H01L21/72 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 劉元金,羅宏 |
| 地址： | 美國紐約州*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | 本文提供了一種制做在硅基底上附有熱熔粘合劑的集成電路硅組合件小片的方法。當一種熱熔粘合劑被甩涂到硅基上之后，片狀的集成電路組合件硅片被切割，同時，由將集成電路硅小片整體地粘在導體襯底上的方法，可制出集成電路硅組合件陣列。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 基底 附有 粘合劑 集成電路 小片 復合物 制做 方法 | ||
【主權項】：
1、一種在硅基底上附有熱熔粘合劑的集成電路硅小片復合物的制做方法，其特征在于該方法包括：(1)將一種熱熔粘合劑的有機溶劑溶液甩涂到其上表面，有著大量的集成電路的硅片的基底上。(2)使涂好的熱熔粘合劑干燥。(3)切割硅片以制備出大批在相應基底上有一層熱熔粘合劑薄層的集成電路硅小片組合件。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
