[其他]拋光法U形槽隔離技術無效
| 申請號： | 86100527 | 申請日： | 1986-03-14 |
| 公開（公告）號： | CN86100527A | 公開（公告）日： | 1987-09-23 |
| 發明（設計）人： | 徐元森;陳明琪;吳佛春;曹樹洪;嚴金龍;陸錦蘭;何德淇;謝明綱;周弼蕓 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海冶金研究所 |
| 主分類號： | H01L21/76 | 分類號： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 中國科學院上海專利事務所 | 代理人： | 秀良赴,沈德新 |
| 地址： | 上海市長寧*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本發明是拋光法U形槽隔離技術，屬于集成電路元件間隔離層制造技術的改進。它采用反應離子刻蝕腐蝕隔離槽，然后用多晶硅填槽。本發明用化學或化學機械拋光法代替反應離子刻蝕來拋光削平表面多晶硅。使隔離工藝簡單，便于控制，成本低，隔離區尺寸小而表面平整度好、適于大規模生產，特別適合我國現在生產條件。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 拋光 隔離 技術 | ||
【主權項】：
1、本發明是U形槽隔離技術，屬于集成電路中元件間隔離層制造技術的改進。它包括反應離子刻蝕腐蝕隔離槽，用多晶硅填槽，削平槽外表面多晶硅。本發明的特征是用機械或化學機械拋光方法拋光槽外表面多晶硅。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
