[其他]半導體器件無效
| 申請號： | 86101884 | 申請日： | 1986-03-22 |
| 公開（公告）號： | CN86101884A | 公開（公告）日： | 1986-11-12 |
| 發明（設計）人： | 彼得·丹尼斯·斯科維爾;彼得·夫里德·布洛姆利;羅格·萊斯利·巴克;加里·約翰·托姆金斯 | 申請（專利權）人： | ITT工業公司 |
| 主分類號： | H01L21/18 | 分類號： | H01L21/18;H01L29/72 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 趙越 |
| 地址： | 美國紐約*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一種全自對準的多晶硅發射極雙極晶體管。用發射極臺面(7)的氧化側壁(8)(側壁隔離層)作為P+基極接觸注入的掩膜，可實現P+基極接觸(12)的自對準。采用與發射極臺面(7)相同的多晶硅所確定的多晶硅對準臺面(14)的氧化側壁(17)，可獲得收集極接觸(13)的對準，但對準臺面是淀積在氧化物(2)上，而不是淀積在被注入的基區(5)之上。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 | ||
【主權項】：
1、制造雙極晶體管的方法包括如下步驟；在未氧化的安排于半導體襯底之中的基區表面上確定多晶硅發射極臺面；對臺面的側壁和露出的未氧化的基區表面進行氧化；至少使用了臺面的一個氧化的側壁作為注入掩模，將基極接觸區注入到襯底，以便與基區接觸，從而基極接觸區是與發射極自行對準的。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于ITT工業公司，未經ITT工業公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://m.szxzyx.cn/patent/86101884/，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
