[其他]制造快速晶閘管的擴(kuò)金新工藝無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 86102417 | 申請日： | 1986-04-10 |
| 公開（公告）號： | CN86102417A | 公開（公告）日： | 1988-04-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 卞抗 | 申請（專利權(quán)）人： | 機(jī)械工業(yè)部西安整流器研究所 |
| 主分類號： | H01L21/22 | 分類號： | H01L21/22 |
| 代理公司： | 西安電力機(jī)械制造公司專利事務(wù)所 | 代理人： | 黃志堅 |
| 地址： | 陜西省西安*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 該新工藝應(yīng)用于制造快速晶閘管，其關(guān)鍵在于控制擴(kuò)金前硅片陰極面和陽極面的雜質(zhì)濃度，使得快速晶閘管的長基區(qū)陽極側(cè)金濃度低而陰極側(cè)金濃度高，從而得到關(guān)斷時間、通態(tài)壓降等參數(shù)協(xié)調(diào)很好的快速晶閘管。用該新工藝制造的2000V管子，在通態(tài)電流200A，通態(tài)峰值壓降2.5V時，關(guān)斷時間不大于30μs。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 制造 快速 晶閘管 新工藝 | ||
【主權(quán)項】：
1、一種制造快速晶閘管的擴(kuò)金新工藝，該工藝使得晶閘管的長基區(qū)陽極側(cè)金濃度低，陰極側(cè)金濃度高。其特征是：通過擴(kuò)磷和腐蝕，在晶閘管的陰極形成磷層，在晶閘管的陽極擴(kuò)硼，形成硼層。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
