[其他]減少雙極器件的管道漏電和表面漏電的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 86102476 | 申請日： | 1986-04-10 |
| 公開（公告）號： | CN86102476B | 公開（公告）日： | 1988-03-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 潘姬;趙洪林;殷淑華 | 申請（專利權(quán)）人： | 天津大學(xué) |
| 主分類號： | H01L21/265 | 分類號： | H01L21/265;H01L21/322;H01L29/32 |
| 代理公司： | 天津大學(xué)專利代理事務(wù)所 | 代理人： | 劉志剛,王國欣 |
| 地址： | 天津市南*** | 國省代碼： | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本發(fā)明提供一種簡便易行的減少半導(dǎo)體器件的管道漏電流和表面漏電流的方法。本發(fā)明所提供的方法利用離子注入吸雜技術(shù)，在半導(dǎo)體基區(qū)表面附近的局部區(qū)域內(nèi)和發(fā)射區(qū)表面附近的局部區(qū)域內(nèi)形成遠(yuǎn)離eb結(jié)的吸雜缺陷。采用本發(fā)明所提供的方法不僅能有效地減少管道漏電和表面漏電，改善器件的性能，提高成品率，而且工藝簡便，有利于降低成本。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 減少 器件 管道 漏電 表面 方法 | ||
【主權(quán)項(xiàng)】：
1.一種先形成半導(dǎo)體器件的基區(qū)，然后利用高能離子透過基區(qū)表面熱氧化形成的SiO2層：在基區(qū)表面附近的基區(qū)接觸的局部區(qū)域內(nèi)和隨后要形成發(fā)射區(qū)的局部區(qū)域內(nèi)形成吸雜缺陷，隨后形成所說發(fā)射區(qū)的利用離子注入吸雜技術(shù)減少管道漏電流和表面漏電流的制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于進(jìn)行離子注入形成吸雜缺陷[9]之前，在基區(qū)擴(kuò)散中形成的SiO2層[5]上刻出保留一薄層所說SiO2層[5]的面積小于發(fā)射區(qū)[11]的小基區(qū)窗口[7]，其余部分保留光刻膠[6]。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
