[其他]金屬—氧化鋁—硅結構濕度傳感器及其制備工藝無效
| 申請號： | 86102535 | 申請日： | 1986-10-17 |
| 公開（公告）號： | CN86102535B | 公開（公告）日： | 1988-11-16 |
| 發明（設計）人： | 駱如楊 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海冶金研究所 |
| 主分類號： | G01W1/02 | 分類號： | G01W1/02;G01R27/26;H01G7/00 |
| 代理公司： | 中國科學院上海專利事務所 | 代理人： | 季良赳,沈德新 |
| 地址： | 上海市長戶*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本發明是Si-MOS結構AlO3濕度傳感器，屬于指示環境濕度的元器件。它是在低阻Si襯底上通過Al蒸發和陽極氧化及熱處理制備一層穩定的多孔α-Al2O3，并而使Al2O3濕度傳感器改善或克服了長期漂移問題，并能同時測量絕對濕度和相對濕度。本發明的濕度傳感器測濕范圍寬、靈敏度高、重復性和穩定性好，可廣泛用于工業過程控制、環境濕度檢測、各種高純氣體水含量分析、氣密封裝電子器件殘留水份監測及電子器件的可靠性和失效機理研究等。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 金屬 氧化鋁 結構 濕度 傳感器 及其 制備 工藝 | ||
【主權項】：
1、一種半導體-氧化物-金屬（MOS）型濕度傳感器，其中的半導體是Si，氧化物是Al2O3，金屬采用Cr-Au。本發明的特征在于Al2O3為α相，厚度為1500-2200。
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