[其他]溴強腐蝕混合源抑制自摻雜硅外延無效
| 申請號： | 86102688 | 申請日： | 1986-04-16 |
| 公開（公告）號： | CN86102688A | 公開（公告）日： | 1987-10-28 |
| 發明（設計）人： | 劉明登;湯廣平;全寶富 | 申請（專利權）人： | 吉林大學 |
| 主分類號： | H01L21/205 | 分類號： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 吉林大學專利事務所 | 代理人： | 楊德勝 |
| 地址： | 吉林省*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本發明是一種半導體器件及集成電路制造中的外延工藝。其目的在于抑制半導體硅外延中自摻雜效應。本發明采用濃硫酸脫水溴強腐蝕遷移背面封閉，硅烷和四氯化硅混合源硅外延。其特點是常壓外延、設備簡單、操作方便、工藝周期短、生長速率快、無二氧化硅粉塵沾污，抑制自摻雜效果好。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 腐蝕 混合 抑制 摻雜 外延 | ||
【主權項】：
1、一種溴強腐蝕混合源抑制自摻雜硅外延工藝，其特征在于使用了濃硫酸脫水溴拋光，并且在外延生長前對硅襯底實行溴強腐蝕和背面封閉，在外延生長時采用四氯化硅和硅烷混合源外延生長。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
