[其他]超大規模集成電路的局部互連方法及其結構無效
| 申請號： | 86103067 | 申請日： | 1986-04-30 |
| 公開（公告）號： | CN86103067A | 公開（公告）日： | 1987-07-15 |
| 發明（設計）人： | 羅杰·A·納肯;湯姆士·C·哈羅偉;湯姆士·E·塔;魏切常;蒙蒂·A·道格拉斯;里拉·雷·海特;里查德·A·查普曼;戴維·A·比爾;羅伯特·格羅夫III | 申請（專利權）人： | 得克薩斯儀器公司 |
| 主分類號： | H01L21/70 | 分類號： | H01L21/70;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海專利事務所 | 代理人： | 馮曉明 |
| 地址： | 美國得克薩斯州752*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | 在氮氣氛中對暴露的壕和柵極區作自對準硅化時全面形成導電的氮化鈦層。對該層制作圖形以提供有數量級為每方10歐姆的薄膜電阻的局部互連并允許接觸與壕邊界有偏差。因局部互連層能從壕向向上疊加到場氧化物以對接觸孔提供底部接觸和擴散阻擋層，該孔在以后被穿蝕過層間氧化物。局部互連可實現隱埋接觸所能實現的全部及其它功能。在提供快速緊湊的SRAM單元和含有亞微米的、不帶有隱埋構造的P-溝道器件的CMOS方面有優越性。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 超大規模集成電路 局部 互連 方法 及其 結構 | ||
【主權項】：
1、一種用于制造集成電路的加工方法，本發明的特征在于，這種方法包括下列步驟：(a)提供一襯底；(b)在一預定的圖形中提供器件隔離區以便將一壕區限定在預定的部位中；(c)在上述壕區的預定部位制作絕緣柵場效應晶體管；(d)在整個襯底沉積一種主要是由鈦組成的金屬：(e)在一容有氮氣的環境中對上述襯底和上述鈦金屬加熱，以便使上述鈦金屬與上述鈦金屬與上述襯底暴露在外的硅部分起反應從而形成硅化鈦，上述鈦金屬的其他部分也與上述氮氣環境起反應，從而形成一種在其表面具有大部分的氮化鈦的層；以及(f)對上述氮化鈦層制作圖形以便在預定的圖形中提供局部互連。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
