[其他]硅的多重吸雜技術及多重吸雜硅片無效
| 申請號： | 86104069 | 申請日： | 1986-06-09 |
| 公開（公告）號： | CN86104069A | 公開（公告）日： | 1987-02-11 |
| 發明（設計）人： | 傅有文;何偉全;樊世緒;卓建會;肖德檸 | 申請（專利權）人： | 電子工業部第四十四研究所 |
| 主分類號： | C30B31/06 | 分類號： | C30B31/06 |
| 代理公司： | 重慶專利事務所 | 代理人： | 李啟良 |
| 地址： | 四川省永川縣*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本發明所涉及的是硅片的多重吸雜技術及用多重吸雜技術所獲得的多重吸雜硅襯底片。多重吸雜技術主要由磷擴散及多層外延組成的技術。用多重吸雜技術所獲之硅片具有雜質吸雜、缺陷吸雜和多晶晶界吸雜，該硅片適于用作電荷耦合器件、光電探測器件、MOS型和TTL型大中小規模集成電路和各種硅單元器件的襯底片。多重吸雜技術簡單、適用、成本低，用多重吸雜硅片所作器件結構性好、暗電流小、成品率高。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 多重 雜技 硅片 | ||
【主權項】：
1、一種多重吸雜硅片，它具有襯底層[5]，高濃度磷吸雜層[1]，其特征在于多重吸雜硅片還具有多晶吸雜層[3]，高密度缺陷單晶吸雜層[4]，用以增強磷吸雜層[1]及多晶吸雜層[3]的吸雜效果的單晶阻擋層[2]。
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