[其他]多層外延砷化鎵的雙源法和裝置無效

申請號：	86104689	申請日：	1986-07-10
公開（公告）號：	CN86104689A	公開（公告）日：	1988-01-27
發明（設計）人：	楊韌	申請（專利權）人：	楊韌
主分類號：	H01L21/223	分類號：	H01L21/223;H01L21/205;C30B31/00
代理公司：	暫無信息	代理人：	暫無信息
地址：	北京市6***	國省代碼：	北京;11
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摘要：	本發明屬于摻雜的氣相化學淀積技術領域。為解決摻Te或摻SnGaAs多層結構的制作，把重摻Te或Sn的GaAs單晶切片置于氯化物系統鎵源后的腐蝕區作雜源，用磁拉方法改變兩源的溫度，以進行多層生長。用將襯底磁拉至微腐蝕區的方法，避開為生長新層而在反應管內建立新的氣相組分過程中所引起的緩變層的生長。本法成本低，操作簡便、安全，質量重復可靠。
搜索關鍵詞：	多層外延砷化鎵雙源法裝置
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【主權項】：

1、氣相外延摻Te或摻SnGaAs，且在同一次中實現不同摻雜濃度的多層生長，本方法的特征是通過改變反應管內鎵源和雜源溫度，以調制不同的摻雜濃度，及至把鎵源處于550℃以下的“休息”狀態，實現重摻n++層的生長。同時，每層生長前，都是磁拉熱容量小的托板及其上襯底至微腐蝕區進行氣相腐蝕，以避開緩變層的生長。

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