[其他]有架空旁路層的金屬—半導體場效應(yīng)管及制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 86105841 | 申請日： | 1986-07-21 |
| 公開（公告）號： | CN86105841A | 公開（公告）日： | 1988-02-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 吉亞姆比羅·多恩澤里 | 申請（專利權(quán)）人： | 泰利特拉電話電子通訊聯(lián)合股票公司 |
| 主分類號： | H01L29/64 | 分類號： | H01L29/64;H01L29/76;H01L21/04 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利代理部 | 代理人： | 劉暉 |
| 地址： | 意大*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 在這一新型肖特基勢壘場效應(yīng)MESFET晶體管的結(jié)構(gòu)中，包括一個基片和三個電極源極、柵極和漏極。用一個形如連續(xù)薄片的柵極，使其電阻接近于零。柵極使源極部分旁路，并在其連接上形成一個架空層。制造工藝基本上包括第一次光掩模，蒸發(fā)，在光刻膠上制作金屬化層，電鍍生長一層金屬，第二次光掩模，以及腐蝕整個金屬化層和去除兩層光刻膠。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 架空 旁路 金屬 半導體 場效應(yīng) 制造 方法 | ||
【主權(quán)項】：
1、一種肖特基勢壘金屬一半導體場效應(yīng)晶體管MESFET包括：一個基片，一個接收輸入信號的柵極，一個產(chǎn)生放大輸出信號的漏極和一個源極，其特征是：柵極G由一個連續(xù)薄片構(gòu)成，該薄片通過架空旁路跨越源極部位并用塊形連接焊到與上述部位處于同側(cè)的基片上，其另一端焊到源極的另一側(cè)，柵極薄片面積是使其長度為相應(yīng)的全縱向長度，從而柵極電阻小到可以忽略的程度。
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- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
