[其他]利用磁場的微波增強型化學氣相淀積系統和方法無效
| 申請號: | 86106620 | 申請日: | 1986-10-14 |
| 公開(公告)號: | CN86106620A | 公開(公告)日: | 1987-07-08 |
| 發明(設計)人: | 山崎舜平 | 申請(專利權)人: | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號: | C23C16/50 | 分類號: | C23C16/50 |
| 代理公司: | 中國專利代理有限公司 | 代理人: | 吳增勇,吳秉芬 |
| 地址: | 日本神奈*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | 本發明展示一種改進的化學氣相淀積法;在這種方法中,回旋共振與光或等離子體化學氣相淀積法相配合,以高的淀積速度淀積具有高性能的薄膜。高淀積速度歸因于回旋共振,而高質量性能歸因于兩種化學氣相淀積法(CVDs)的組合。 | ||
| 搜索關鍵詞: | 利用 磁場 微波 增強 化學 氣相淀積 系統 方法 | ||
【主權項】:
1、微波增強型CVD(化學汽相淀積)系統,特征在于包括:-一個CVD裝置,其由一個反應室、用于將生產氣體引入所述反應室的裝置、用于提供能量的裝置(這種能量是為在反應室內實現淀積反應所必需的)及用于抽空所述反應室的裝置所組成;和-一個生產氣體增強裝置,它包括一個增強室、用于對所述增強室的內部提供磁場的裝置,用于將微波發送到所述增強室內的裝置和用于將生產氣體引入所述增強室的裝置,所述反應室和所述增強室處于彼此保持聯系中。
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C23 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學處理;金屬材料的擴散處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





