[其他]應用側壁及去除技術制做亞微米掩模窗口的方法無效

申請號：	86107855	申請日：	1986-11-14
公開（公告）號：	CN86107855B	公開（公告）日：	1988-06-29
發明（設計）人：	羅伯特·基姆巴爾·庫克;約瑟夫·弗朗希斯·施帕德	申請（專利權）人：	國際商用機器公司
主分類號：	H01L21/302	分類號：	H01L21/302
代理公司：	中國國際貿易促進委員會專利代理部	代理人：	鄧明
地址：	美國紐約州***	國省代碼：	暫無信息
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摘要：	一種用于在基底中制做窗口的方法，利用反應離子刻蝕技術，在基底上形成臺面。在整個結構上淀積一膜層，并且將臺面有選擇地刻蝕掉，以在膜層中形成亞微米尺寸的窗口。用膜層作掩模，被掩模所露出的基底被反應離子蝕刻。給出了制做多晶硅基區雙極性晶體管的發射區掩模的例子。
搜索關鍵詞：	應用側壁去除技術制做微米窗口方法
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【主權項】：

1.用選擇性刻蝕在基底中制做窗口的方法，它包括用反應離子刻蝕側壁技術在基底上形成臺面的步驟，其特征在于下列步驟：將膜層淀積在所述基底的頂部和所述臺面的頂部，而不淀積在所述臺面的測壁上；用有選擇性腐蝕所述臺面的測壁而不腐蝕所述膜層的方法，將所述臺面及其頂部的所述膜層完全除去，這樣，所述膜層便只保留在除所述臺面之外的位置的基底頂部上；用膜層作為刻蝕掩模，有選擇地刻蝕所述基底，由此形成所述窗口。

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