[其他]光學(xué)傳感器無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 86108567 | 申請日： | 1986-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN86108567A | 公開（公告）日： | 1987-10-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 梅丁·艾克蒂克 | 申請（專利權(quán)）人： | 米特爾公司 |
| 主分類號： | H01L31/10 | 分類號： | H01L31/10;H01L31/18;H04B9/00 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 肖春京,杜有文 |
| 地址： | 加拿大*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本發(fā)明涉及一種光敏二極管單元及其制作方法。二極管單元由構(gòu)成陰極的第一層n型氫化非晶硅和構(gòu)成陽極的第二層P+型材料組成，第二層位于第一層之上，并且是透光層。由于采用了氫化非晶硅，本發(fā)明的光敏二極管單元具有高光電導(dǎo)率，可控變化的光通道以及薄膜結(jié)構(gòu)等特點。采用此種二極管單元組成的光敏二極管陣列容易制作，它運用簡單的電路來尋址每一個二極管單元。其特征在于單元之間串?dāng)_很小，并具有最大的光靈敏度和寬的動態(tài)范圍。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 光學(xué) 傳感器 | ||
【主權(quán)項】：
1、一種光敏二極管單元，包括構(gòu)成陰極的第一層n-型材料和構(gòu)成陽極的第二層P+型材料，該第二層位于第一層之上，是一種能透過光能的材料，該光敏二極管單元的特征在于，所述的第一層由氫化非晶硅制作而成，在經(jīng)受上述光能照射后，它變成良導(dǎo)電體。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
