[其他]薄膜晶體管無效

申請號：	86108693	申請日：	1986-12-26
公開（公告）號：	CN86108693A	公開（公告）日：	1987-08-12
發明（設計）人：	石原俊一;大利博和;廣岡政昭;半那純一;清水勇	申請（專利權）人：	佳能株式會社
主分類號：	H01L21/205	分類號：	H01L21/205;H01L21/365
代理公司：	中國國際貿易促進委員會專利代理部	代理人：	趙蓉民
地址：	日本***	國省代碼：	暫無信息
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摘要：	提供一種基本半導體層，包含由非晶材料構成層改進的薄膜晶體管，其制備方法如下將含有能夠成為所述層組分原子的氣態物質(i)通過輸送管引入放有基底的成膜室，將對該氣態物質具有氧化性能的氣態鹵族物質。(ii)通過氧化劑輸送管引入該成膜室；使該氣態物質和該氣態鹵族氧化劑在成膜室內無等離子體的情況下發生化學反應，產生含受激先質的多種先質；至少利用這些先質中的一種作為供應源，在基底上形成所述的層。
搜索關鍵詞：	薄膜晶體管
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【主權項】：

1、一種改進的薄膜晶體管，其基本半導體層包含由非晶材料構成的層，它是用下述方法制備的：(a)將含有能夠成為所述層組分原子的氣態物質(i)通過氣態物質輸送管引入放有薄膜晶體管基底的成膜室，通過氣態鹵族氧化劑輸送管將對該氣態物質具有氧化性能的氣態鹵族物質引入該成膜室，(b)使該氣態物質和該氣態鹵族氧化劑在該成膜室內沒有等離子體的情況下發生化學反應，產生含有受激先質的多種先質。(c)至少利用這些先質中的一種作為供應源，在該基底上形成所述的層。

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