[其他]功率半導體器件的電極引出技術無效

申請號：	86109631	申請日：	1986-12-26
公開（公告）號：	CN86109631A	公開（公告）日：	1988-07-20
發明（設計）人：	呂征宇	申請（專利權）人：	浙江大學
主分類號：	H01L21/60	分類號：	H01L21/60;H01L21/88
代理公司：	浙江大學專利代理事務所	代理人：	陳楨祥
地址：	浙江省杭***	國省代碼：	浙江;33
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摘要：	本發明通過制作一組導電、絕緣薄膜，對半導體器件芯片表面電極進行有選擇的電鍍，并在電鍍層上加金屬壓塊或焊接引線。從而構成完整的主電極引出工藝。本發明能滿足可關斷晶閘管(GTO)一類器件精細的多個孤立主電極的并聯引出要求，也可同樣方便地用于巨型晶體管(GTR)、門極輔助關斷晶閘管(GATT)等一般功率半導體器件的制造工藝。本發明可采用平面工藝，允許有較高集成度。使用設備簡單、成本低廉、可靠性好，并適合于大批量生產。
搜索關鍵詞：	功率半導體器件電極引出技術
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【主權項】：

1、一種功率半導體器件的電極引出工藝，本發明特征是，在功率半導體器件芯片上制作各電極的導電基底層，此芯片上再加絕緣介質膜作為隔離層，隔離層開有窗口，窗口位置與各單元主電極基底層一一對應，以保證主電極電流基本垂直地流過基底層，在隔離層上面有一連通導電薄膜作為連通層，使連通層與隔離層窗口內的主電極基底層連通，連通層上加絕緣介質膜作為電鍍屏蔽層，在屏蔽層選定部位開窗，即電鍍窗，在屏蔽層下電鍍窗位置有一金屬膜作為電鍍底層，以芯片上連通層作為電鍍陰極的連接導體，放在電鍍槽內電鍍金屬層，再除去屏蔽層和電鍍窗外的連通層、隔離層(如作為鈍化膜，則可保留)，最后在電鍍層上加導電、導熱性能良好的平整金屬壓塊以壓接方式封裝，從而構成完整的主電極并聯引出結構，芯片的其它電極可以采用各種常規方法引出。

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