[其他]高能量γ射線刻度源裝置無效
| 申請號： | 86204889 | 申請日： | 1986-07-04 |
| 公開（公告）號： | CN86204889U | 公開（公告）日： | 1987-06-24 |
| 發明（設計）人： | 葉宗垣;李景文;躍鋼;施德棠 | 申請（專利權）人： | 中國原子能科學研究院 |
| 主分類號： | G01T3/00 | 分類號： | G01T3/00 |
| 代理公司： | 核工業部專利法律事務所 | 代理人： | 吳景夏 |
| 地址： | 北京二*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本實用新型涉及一種高能量γ射線刻度源裝置。它是利用Am-Be等放射性中子源，經過慢化，在鐵、鎳和二氯化鎂輻射樣品上產生熱中子俘獲反應獲得能量在5～10MeV的單色γ射線，用以刻度Ge(Li)，HPGe和NaI(Tl)等γ射線探測器的能量線性、能量分辨以及相對效率。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 高能量 射線 刻度 裝置 | ||
【主權項】：
1、一種高能量γ射線刻度源裝置，由中子源、慢化層、輻射體組成，其特征在于利用放射性中子源，經慢化層慢化為熱中子與輻射體引起熱中子俘獲產生單色特征γ射線，用于刻度γ射線探測器。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國原子能科學研究院，未經中國原子能科學研究院許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://m.szxzyx.cn/patent/86204889/，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
