[其他]光電轉換器及其制造方法無效
| 申請號: | 87100057 | 申請日: | 1987-01-06 |
| 公開(公告)號: | CN87100057A | 公開(公告)日: | 1987-07-22 |
| 發明(設計)人: | 山崎舜平 | 申請(專利權)人: | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號: | H01L31/06 | 分類號: | H01L31/06;H01L31/10;H01L31/18 |
| 代理公司: | 中國專利代理有限公司 | 代理人: | 肖春京 |
| 地址: | 日本奈川*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | 一種光電轉換器,其光敏部分系按一定的方式設計,使光電流只在垂直于半導體層的方向上流動,從而使該光電轉換器能快速響應入射光。這種光電轉換器由半導體和一對敷在半導體層相對表面上的電極組成。半導體層和各電極一起腐蝕加工,從而使各層與各電極具有同樣的面積和形狀。 | ||
| 搜索關鍵詞: | 光電 轉換器 及其 制造 方法 | ||
【主權項】:
1、一種光電轉換器,其特征在于,該光電變換器包括:一個透明襯底;一個設在所述襯底上配置有電極的光敏半導體層;和一個設在所述襯底上與所述半導體層毗鄰并與所述半導體層的周邊接觸的樹脂層,所述樹脂層與所述樹脂層周邊之間的接觸系采用所述半導體層作為掩模以腐蝕所述樹脂層,因而極為貼近,從而在所述接觸部分大體上不存在寄生通道。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





