[其他]一種多晶硅自對準雙極器件及其制造工藝無效
| 申請號： | 87100294 | 申請日： | 1987-01-15 |
| 公開（公告）號： | CN87100294A | 公開（公告）日： | 1987-08-26 |
| 發明（設計）人： | 道格拉斯·P·弗萊特;杰弗里·E·布賴頓;迪姆斯·蘭迪·霍林斯沃思;曼紐爾·路易斯·托萊諾 | 申請（專利權）人： | 德克薩斯儀器公司 |
| 主分類號： | H01L29/02 | 分類號： | H01L29/02;H01L29/72;H01L21/22 |
| 代理公司： | 上海專利事務所 | 代理人： | 吳淑芳 |
| 地址： | 美國德克薩斯*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | 一種在半導體基片的表面上生成的雙極晶體管，它包括一個在所述半導體的部分發射極—基極區域里生成的第一種導電型的含雜質基極。在含雜質基極上面生成一導電的基極接觸層，它具有在其側壁上面生成的一不導電的隔離層。在發射極—基極區域里一無雜質基極與含雜質基極并置。在無雜質基極內形成第二種導電型的發射極，該發射極具有一個發射邊緣，它與隔離層的外緣對準。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 一種 多晶 對準 器件 及其 制造 工藝 | ||
【主權項】：
1、一種在半導體表面上生成的雙極晶體管，其特征在于，它包：一個在上述半導體的發射極-基極區域部分里生成的第一種導電型的含雜質基極；一個至少部分地復蓋上述含雜質基極而生成的導電的基極接觸層，它具有一在其側壁上面生成的不導電的隔離層蓋在發射極-基極區域上；一個在鄰接上述含雜質基極的上述發射極-基極區域里的無雜質基極；以及一個在上述無雜質基極里生成的第二種導電型的發射極，它具有一個鄰近上述含雜質基極并與上述隔離層的一個外緣對準的邊緣，以及封閉上述晶體管的隔離裝置。
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