[其他]在多晶硅上具有平滑界面的集成電路無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 87102505 | 申請(qǐng)日： | 1987-03-31 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN87102505A | 公開（公告）日： | 1987-12-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 凱利帕特納姆·維維克·羅 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 得克薩斯儀器公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/70 | 分類號(hào)： | H01L21/70;H01L27/02;H01L29/92;G11C11/24 |
| 代理公司： | 上海專利事務(wù)所 | 代理人： | 景星光 |
| 地址： | 美國(guó)得克*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一種得到非常平滑的多晶硅1層/層間絕緣層/多晶硅2層的界面。本質(zhì)上，多晶硅1層18是無(wú)定形相的LPCVD的沉積層和用注入摻雜的。這以后沉積一種適當(dāng)?shù)慕^緣層20，接著多晶硅1層18在約1000℃溫度下重結(jié)晶。然后，用LPCVD沉積多晶硅2層和在950℃溫度下?lián)饺隤OCl3，得到的多晶硅2/層間絕緣層/多晶硅1界面是一種原子范圍的非常平滑的界面，甚至在其它器件制造的熱循環(huán)以后也是如此，并且相信將導(dǎo)至優(yōu)良的漏泄特性。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多晶 具有 平滑 界面 集成電路 | ||
【主權(quán)項(xiàng)】：
1、一種集成電路制造中在兩層導(dǎo)電層之間制造電容器的方法，包括下列步驟：(a)沉積一種包括大于50%、處于無(wú)定形狀態(tài)硅原子的第一導(dǎo)電層。(b)在所說(shuō)的第一導(dǎo)電層上沉積絕緣層。(c)在所說(shuō)的絕緣層上沉積一種第二導(dǎo)電層。
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- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
