[其他]一種具有負電阻溫度系數的單晶硅熱敏電阻器及其制造方法無效
| 申請號： | 87103486 | 申請日： | 1987-05-07 |
| 公開（公告）號： | CN87103486B | 公開（公告）日： | 1988-08-10 |
| 發明（設計）人： | 韋風輝;李國華;柳培立 | 申請（專利權）人： | 中國科學院新疆物理研究所 |
| 主分類號： | H01C7/04 | 分類號： | H01C7/04 |
| 代理公司： | 中國科學院新疆專利事務所 | 代理人： | 王蔚,孟煒 |
| 地址： | 新疆維吾爾*** | 國省代碼： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 熱敏電阻器及其制造方法本發明提供一種具有負電阻溫度系數的單晶硅熱敏電阻器及其制造方法。其主要特點是采用在P型單晶硅中摻入金、鉑兩種雜質的方法，使電阻呈現負溫度特性，其B值為3850K，B值的偏差分布小于±0.3％，使用溫區為-50℃～100℃之間。由于該電阻元件的B值適中，互換性能好，又易制作，成本低廉，不失為一種用于配制具有經性輸出的線性組件的理想元件。并可廣泛適用于醫療儀器、食品工業、家用電器等行業的測溫、控溫等實用技術領域。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 電阻 溫度 系數 單晶硅 熱敏 電阻器 及其 制造 方法 | ||
【主權項】：
1.一種具有負電阻溫度系數的單晶硅熱敏電阻器，是由摻雜的P型單晶硅芯片作為敏感體，在所說的P型單晶硅芯片的兩面用化學鍍鎳法形成電極，在所形成的鎳電極上用錫焊焊接鍍銀銅線作為引出線構成的，其特征在于摻雜的P型單晶硅敏感體是在P型單晶硅中同時摻鉑和摻金面形成的具有負電阻溫度系數，B值為3850K，B值偏差分布小于±0.3％，在25℃時阻值偏差分布小于±0.3％，使用溫區為-50℃～+100℃的單晶硅芯片，單晶硅熱敏電阻器用環氧樹脂包封。
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