[其他]半導體器件的制造方法和系統無效

申請號：	87104656	申請日：	1987-07-04
公開（公告）號：	CN87104656A	公開（公告）日：	1987-12-16
發明（設計）人：	山崎舜平	申請（專利權）人：	株式會社半導體能源研究所
主分類號：	H01L21/205	分類號：	H01L21/205;H01L21/365
代理公司：	中國專利代理有限公司	代理人：	肖春京,杜有文
地址：	日本神***	國省代碼：	暫無信息
權利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：	本文示出了一種改進的半導體器件的制作系統和方法。在此系統中，借助ECR系統和CVD系統的聯合可以避免有害的濺射效應。在用聯合系統淀積之前，在反應室內可以在基片上預形成一個子層，在不接觸大氣的情況再傳遞到用聯合系統進行淀積的另一個反應室，以使得這樣形成的結有良好的特性。
搜索關鍵詞：	半導體器件制造方法系統
鉆瓜網技術展會專利詞庫專利權人專利榜在售專利公布日期熱門專利

【主權項】：

1、用化學汽相反應制造半導體器件的方法，其特征在于：該方法包括下列步驟：引入一生產氣體到一包括有一置于磁場下的和接收微波的共振空間，以及一與共振空間互通的和在其內有一襯底的反應空間的真空室；使所述的生產氣體置于所說磁場中；對所述的生產氣體施加一微波，以激勵所述的生產氣體，以及在磁場存在的條件下給通過分解從所述的生產氣體中產生的帶電粒子供能；借助于賦能的生產氣體的能量，實現硅和碳的化學汽相反應，隨后在安置在所述的真空室中的一襯底上淀積SixC1-x(0＜X＜1)半導體層。

下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。

免登錄下載普通用戶下載升級VIP會員，免費下載

該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社半導體能源研究所，未經株式會社半導體能源研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】

本文鏈接：http://m.szxzyx.cn/patent/87104656/，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。