[其他]半導體器件的制造方法和系統無效
| 申請號： | 87104657 | 申請日： | 1987-07-04 |
| 公開（公告）號： | CN87104657A | 公開（公告）日： | 1987-12-16 |
| 發明（設計）人： | 山崎舜平 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | H01L21/205 | 分類號： | H01L21/205;H01L21/365 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 肖春京,杜有文 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文示出了一種改進的半導體器件的制作系統和方法。在此系統中，借助ECR系統和CVD系統的聯合可以避免有害的濺射效應。在用聯合系統淀積之前，在反應室內可以在基片上預形成一個子層，在不接觸大氣的情況再傳遞到用聯合系統進行淀積的另一個反應室，以使得這樣形成的結有良好的特性。 | ||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 制造 方法 系統 | ||
【主權項】：
1、一半導體制造系統包括：一個具有一共振空間和一反應空間的真空室；用于把所述共振空間置于一磁場的磁場感應裝置；用于輸入微波到所述共振空間的一微波源；用于把生產氣體引入到所述真空室的裝置；以及用于抽空所述真空室的裝置；所述的系統其特征在于，所述的抽空裝置是由一個真空泵和渦輪分子泵組成。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
