[其他]壓接觸GTO-可控硅整流器無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 87105600 | 申請(qǐng)日： | 1987-07-30 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN1003203B | 公開（公告）日： | 1989-02-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 安德烈·杰克林;蒂博爾·帕科西;沃爾夫?qū)R默曼 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | BBC勃朗·勃威力有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/74 | 分類號(hào)： | H01L29/74;H01L21/60;H01L23/48 |
| 代理公司： | 中國(guó)專利代理有限公司 | 代理人： | 吳秉芬 |
| 地址： | 瑞士*** | 國(guó)省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 在采用直接壓接件的GTO——可控硅整流器情況下，由于對(duì)半導(dǎo)體片(2)和壓接件(1，3)的表面平整度、對(duì)壓接件(1，3)的對(duì)中，以及對(duì)其邊緣的安排提出了特殊的要求，從而制成了一個(gè)具有極好負(fù)荷變換穩(wěn)定性，可實(shí)用的構(gòu)件。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 接觸 gto 可控 硅整流器 | ||
【主權(quán)項(xiàng)】：
1.壓接觸GTO-可控硅整流器，包括a)一個(gè)安裝在陰極面同陽(yáng)極面之間，具有各種不同摻雜層的半導(dǎo)體片(2)，b)所述半導(dǎo)體片(2)至少在陰極面處做成臺(tái)面形，并具有由多個(gè)凸起的陰極凸臺(tái)(7)的柵設(shè)-陰極結(jié)構(gòu)，這些陰極凸臺(tái)被深處的柵極區(qū)包圍，以及c)半導(dǎo)體片(2)在其陰極凸臺(tái)(7)上總是復(fù)蓋著一層金屬化陰極層(6)，陽(yáng)極面處總是復(fù)蓋著一層金屬化陽(yáng)極層；并帶有d)一個(gè)陰極面的片形壓接件和一個(gè)陽(yáng)極面的片形壓接件(1、3)，這些片形壓接件被壓在陰極層及陽(yáng)極層上，以實(shí)現(xiàn)接觸連接，其特征在于e)壓接件(1，3)與半導(dǎo)體片(2)的壓力荷載接觸面上的平面偏差小于±5微米，和f)壓接件(1，3)相互對(duì)準(zhǔn)，以使它們中心軸之間的相互偏差小于500微米。
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- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
