[其他]半導(dǎo)體陶瓷合成物和半導(dǎo)體陶瓷電容器無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 87105776 | 申請(qǐng)日： | 1987-07-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN87105776A | 公開（公告）日： | 1988-02-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 小野秀一;板垣秋一;矢作正博;古川喜代志;藤原忍;及川泰仲 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | TDK株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01B3/12 | 分類號(hào)： | H01B3/12;C04B35/00;H01G4/12;H01L29/95 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,吳秉芬 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一種電氣和物理性能優(yōu)異足以用作邊界層型半導(dǎo)體陶瓷電容器的半導(dǎo)體陶瓷合成物和一種介電常數(shù)和絕緣電阻有所提高、電極的可釬焊性和抗拉強(qiáng)度優(yōu)異的電容器。該合成物包含SrTiO3基本原料和Y2O3及Nb2O5的半導(dǎo)電性添加劑。Y2O3和Nb2O5的含量各為合成物的0.1至0.4克分子％。該電容器有一個(gè)由該合成物制成的半導(dǎo)體陶瓷體，陶瓷體各表面形成有第一導(dǎo)電層，第一導(dǎo)電層上形成有第二導(dǎo)電層。還提供了制造該電容器的方法。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 陶瓷 合成物 電容器 | ||
【主權(quán)項(xiàng)】：
1、一種半導(dǎo)體陶瓷合成物，其特征在于，該合成物包含：一種含SrTiO3的基本原料；和一種含Y3O3和Nb2O5的半導(dǎo)電性添加劑；所述Y2O3和Nb2O5的含量各為所述合成物的0.1至0.4克分子%。
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