[其他]薄固體膜片組成的層狀結(jié)構(gòu)的局部混合無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 87106894 | 申請日： | 1987-10-09 |
| 公開（公告）號： | CN87106894A | 公開（公告）日： | 1988-04-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 約翰·鄧肯·羅爾斯頓;安東尼·盧克·莫雷蒂;拉溫達(dá)·庫馬·珍 | 申請（專利權(quán)）人： | 阿莫科公司 |
| 主分類號： | H01L21/268 | 分類號： | H01L21/268 |
| 代理公司： | 中國專利代理有限公司 | 代理人： | 盧新華 |
| 地址： | 美國伊*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | 一種多層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，由兩個或多個不同材料制成的獨(dú)立層構(gòu)成，可以局部加以混合，以改變其組成，從而使原材料之間的區(qū)別消失，至少是部消失。這種混合方法采用脈沖或快速掃描激光或電子束進(jìn)行照射，通常是在室溫和常壓下以不致在體質(zhì)上損壞層狀結(jié)構(gòu)的能級進(jìn)行。采用激光或電子束的多脈沖時可以達(dá)到徹底混合的效果。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 固體 膜片 組成 層狀 結(jié)構(gòu) 局部 混合 | ||
【主權(quán)項】：
1、一種局部混合多層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，所述結(jié)構(gòu)至少具有兩個結(jié)構(gòu)層，且包括交替的量子阱層和阻擋層，該方法的特征于，該方法包括下列步驟：(甲)提供一種多層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，各層的厚度在大約5至500埃的范圍內(nèi)，且所述結(jié)構(gòu)至少有一個表面層是敞露著的；(乙)用一種適宜提供足以使諸交替層之間混合的能量通量的能源，照射所述多層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)敞露著的表面層的局部區(qū)域；(丙)回收局部混合過的半導(dǎo)體產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)的特征是具有在光學(xué)和/或電子性能上與原半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)不同的局部橫向和/或縱向區(qū)域。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
