[其他]化合物薄膜形成裝置無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 87107161 | 申請(qǐng)日: | 1987-10-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN87107161A | 公開(公告)日: | 1988-05-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 伊藤弘基 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三菱電機(jī)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | C23C14/30 | 分類號(hào): | C23C14/30;H01L49/02;H01L27/00 |
| 代理公司: | 中國(guó)專利代理有限公司 | 代理人: | 葉凱東,吳秉芬 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | 本發(fā)明的化合物薄膜形成裝置,在設(shè)于真空槽內(nèi)的內(nèi)部槽中設(shè)置電場(chǎng)屏蔽板,用以將電子束引出電極及電子束放出機(jī)構(gòu)電位屏蔽,并在該電場(chǎng)屏蔽板與襯底之間設(shè)置加速電極,用以偏置電子束引出電極和電子束放出機(jī)構(gòu)為正電位并將反應(yīng)性氣體加速。這樣,使放出的電子束集中在反應(yīng)性氣體的通道附近,促進(jìn)反應(yīng)性氣體的激勵(lì)、離解或電離,從而能控制在印刷電路襯底上形成的蒸鍍薄膜的結(jié)晶性和附著力等膜質(zhì),具有高速高效率地蒸鍍優(yōu)質(zhì)薄膜的效果。 | ||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 化合物 薄膜 形成 裝置 | ||
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





