【主權項】：

1、制造至少包括一個雙極平面型晶體管的單塊集成電路的方法，所述晶體管的集電區(3)位于晶片形半導體基片(1)的主表面，并在場氧化層(2)的窗口(31)內的所述表面側形成集電極區，在集電區內形成發射區(4)和基區(5，5″)；發射極區(6)由具有一定厚度的氧化掩蔽層部分(71)覆蓋，使得在高能量離子注入工藝中基區(5)的雜質穿過所述氧化掩蔽層，在低能量離子注入工藝中基區雜質不能穿透該氧化掩蔽層；以及在利用離子注入掩蔽(M2)進行離子注入工藝以定出基極區后，對暴露的半導體表面進行熱氧化，以形成圍繞發射極區的氧化條(21)，然后再去除氧化掩蔽層部分(71)；本發明方法其特征在于以下步驟：a)在去除覆蓋發射極區(6)的氧化掩蔽層部分(71)之后，在半導體基片(1)的主表面上依次制成至少由一層絕緣頂層(10)和一層下面的硅化物層(9)構成的順序層。b)然后，利用各向異性刻蝕，把氧化條(21)分成內部分(15)和外部分(16)，由此形成穿過由頂層(10)、硅化物層(9)和可能的多晶硅層(8)構成的順序層的溝槽(11)，并使外基區部分(5′)和延伸至所述半導體表面的集電區(3)之間的PN結部分(51)暴露，由此，除了發射極(42)之外，也定出了集電極電極(32′)，集電極(32′)迭放在場氧化層(2)上；c)然后，注入基區(5)的導電類型的離子，把順序層(8、9、10)用作掩蔽；d)然后，淀積絕緣層(17)，該層覆蓋溝槽(11)表面和頂層(10)的剩余部分；e)然后，進行氣相各向異性刻蝕，以使溝槽(11)的邊緣、發射極電極(42)的邊緣和集電極電極(32′)的邊緣保持被絕緣層的剩余部分覆蓋，以及f)最后在激活和擴散基區(5)的導電類型的注入離子后，淀積用于接觸所得基區接觸區(5″)的接觸層，由此用光刻刻蝕工藝形成基極電極。