[其他]集成雙板晶體管的集電極接觸無效

申請號：	87107369	申請日：	1987-12-11
公開（公告）號：	CN87107369A	公開（公告）日：	1988-06-29
發明（設計）人：	洛薩·布洛斯弗爾德;克里斯托夫·沃爾茨	申請（專利權）人：	德國ITT工業有限公司
主分類號：	H01L21/88	分類號：	H01L21/88
代理公司：	中國國際貿易促進委員會專利代理部	代理人：	趙越
地址：	聯邦德***	國省代碼：	暫無信息
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摘要：	本發明提出了附屬在集電極區(1)側面上的集電極接觸(6)，及制造該接觸的方法，在此過程中，產生溝槽(3)，它側向地限制了集電極區(1)，溝槽(3)的深度的尺寸至少等于集電極區(1)的厚度。集電極接觸(6)包括含有集電極區(1)導電類型摻雜劑的多晶硅，并覆蓋了從相鄰的集電極接觸(6)擴散的高摻雜的接觸區(7′)。
搜索關鍵詞：	集成晶體管集電極接觸
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【主權項】：

1、集成雙極晶體管的集電極接觸，其一種導電類型的集電極區是在另一導電類型的片狀半導體硅襯底的一主表面上絕緣，與單塊集成固體電路的其余器件相絕緣，這是通過完全圍繞集電極區(1)的溝槽3完成的，其特征在于：上述集電極區(1)的集電極接觸(6)設置在上述溝槽(3)的側壁上，并包含具有上述集電極區(1)的導電類型的摻雜劑的一層多晶硅，上述集電極(6)復蓋了上述集電極區(1)的導電類型的高摻雜的接觸區(7′)，上述溝槽(3)的底表面復蓋了一層二氧化硅(8)，上述溝槽(3)的深度至少等于上述集電極區(1)的厚度。

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